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SE98A_4
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Product data sheet
Rev. 04  25 November 2009
29 of 43
NXP Semiconductors
SE98A
DDR memory module temp sensor, 1.7 V to 3.6 V
I
OL(sink)(SDA)
 = SDA output current LOW
I
OL(sink)EVENT
 = EVENT
 output current LOW
10. Limiting values
 
11. Characteristics
 
Table 24.   Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V
DD
supply voltage
0.3
+4.2
V
V
n
voltage on any other pin
SDA, SCL, EVENT
 pins
0.3
+4.2
V
V
A0
voltage on pin A0
overvoltage input; A0 pin
0.3
+12.5
V
I
sink
sink current
at SDA, SCL, EVENT
 pins
1
+50.0
mA
T
j(max)
maximum junction temperature
-
150
癈
T
stg
storage temperature
65
+165
癈
Table 25.   Characteristics
V
DD
= 1.7 V to 3.6 V; T
amb
= 40 ?/SPAN>C to +125 ?/SPAN>C; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
acc
temperature accuracy
B grade temperature accuracy;
V
DD
= 1.7 V to 3.6 V
T
amb
= 75 癈 to 95 癈
1.0
< ?.5
+1.0
癈
T
amb
= 40 癈 to 125 癈
2.0
< ?
+2.0
癈
T
amb
= 40 癈 to +125 癈
3.0
< ?
+3.0
癈
T
res
temperature resolution
-
0.125
-
癈
I
DD(AV)
average supply current
-
250
400
糀
I
DD(stb)
standby supply current
SMBus inactive
-
0.1
5
糀
T
conv
conversion period
-
100
120
ms
E
f(conv)
conversion rate error
percentage error in programmed
data
30
-
+30
%
I
LIL
LOW-level input leakage current  pins A0, A1, A2; V
I
= V
SS
1.0
-
+1.0
糀
I
pd
pull-down current
internal; pins A0, A1, A2;
V
I
= 0.3V
DD
to V
DD
0.05
-
4.0
糀
Z
IL
LOW-level input impedance
pins A0, A1, A2; V
I
< 0.3V
DD
30
-
-
k?/DIV>
Z
IH
HIGH-level input impedance
pins A0, A1, A2; V
I
e 0.3V
DD
800
-
-
k?/DIV>
V
DD
supply voltage
1.7
1.8 or 2.5
or 3.3
3.6
V
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